삼성전자, 3차원 낸드플래시 메모리 양산

향후 테라 시대를 주도할 대용량 낸드플래시 양산기술 확보 [IT News 이강민 기자, kangmin@itnews.or.kr] 삼성전자가 업계 최대 용량인 128기가비트(Gigabit)3차원 수직구조 낸드플래시 메모리 양상을 시작했다. 삼성전자는 6일 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 신개념 3차원 수직구조 낸드(3D Vertical NAND, 3D V-NAND) 플래시 메모리를 삼성전자의 독자 기술 '3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀구조'와 '3차원

이 콘텐츠는 사이트 회원 전용입니다. 기존의 사용자라면 로그인 하세요. 새 사용자는 아래에서 회원가입 할 수 있습니다.

기존 사용자 로그인
   
새로운 사용자 등록
*필수란